DTD113ZUT106

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DTD113ZUT106
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Datenblätte:	1.DTD113ZUT106.pdf 2.DTD113ZUT106.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	701018 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 701018 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

3000 pcs: $0.054

6000 pcs: $0.051

15000 pcs: $0.048

30000 pcs: $0.044

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Spezifikationen von DTD113ZUT106

Artikelnummer	DTD113ZUT106	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	701018 pcs	Datenblatt	1.DTD113ZUT106.pdf 2.DTD113ZUT106.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased	Supplier Device-Gehäuse	UMT3
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	1 kOhms	Leistung - max	200mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	SC-70, SOT-323
Andere Namen	DTD113ZUT106-ND DTD113ZUT106TR	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	200MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	82 @ 50mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	500mA	Basisteilenummer	DTD113

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