DTDG14GPT100

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DTDG14GPT100
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
Datenblätte:	1.DTDG14GPT100.pdf 2.DTDG14GPT100.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	474263 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 474263 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1000 pcs: $0.073

2000 pcs: $0.066

5000 pcs: $0.062

10000 pcs: $0.058

25000 pcs: $0.057

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Spezifikationen von DTDG14GPT100

Artikelnummer	DTDG14GPT100	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	474263 pcs	Datenblatt	1.DTDG14GPT100.pdf 2.DTDG14GPT100.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	60V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 500mA
Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased	Supplier Device-Gehäuse	MPT3
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	10 kOhms
Leistung - max	2W	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-243AA	Andere Namen	DTDG14GPT100TR
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	80MHz
detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 60V 1A 80MHz 2W Surface Mount MPT3	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	300 @ 500mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA (ICBO)	Strom - Kollektor (Ic) (max)	1A
Basisteilenummer	DTDG14

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