EMB4T2R

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	EMB4T2R
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Datenblätte:	1.EMB4T2R.pdf 2.EMB4T2R.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1052215 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1052215 pcs

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Spezifikationen von EMB4T2R

Artikelnummer	EMB4T2R	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1052215 pcs	Datenblatt	1.EMB4T2R.pdf 2.EMB4T2R.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ	2 PNP - Pre-Biased (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	EMT6
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	-
Widerstand - Basis (R1)	10 kOhms	Leistung - max	150mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	SOT-563, SOT-666
Andere Namen	EMB4T2R-ND EMB4T2RTR	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	250MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	100 @ 1mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	-
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA	Basisteilenummer	MB4

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