EMD9T2R

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	EMD9T2R
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Datenblätte:	1.EMD9T2R.pdf 2.EMD9T2R.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	171531 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 171531 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.207

10 pcs: $0.145

25 pcs: $0.119

100 pcs: $0.095

250 pcs: $0.069

500 pcs: $0.056

1000 pcs: $0.043

2500 pcs: $0.039

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Spezifikationen von EMD9T2R

Artikelnummer	EMD9T2R	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	171531 pcs	Datenblatt	1.EMD9T2R.pdf 2.EMD9T2R.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	EMT6
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	10 kOhms	Leistung - max	150mW
Verpackung	Original-Reel®	Verpackung / Gehäuse	SOT-563, SOT-666
Andere Namen	EMD9T2RDKR	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	250MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	68 @ 5mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA	Basisteilenummer	*MD9

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