EMH10T2R

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	EMH10T2R
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Datenblätte:	1.EMH10T2R.pdf 2.EMH10T2R.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	838909 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 838909 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

8000 pcs: $0.036

16000 pcs: $0.033

24000 pcs: $0.03

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Spezifikationen von EMH10T2R

Artikelnummer	EMH10T2R	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	838909 pcs	Datenblatt	1.EMH10T2R.pdf 2.EMH10T2R.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	EMT6
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	22 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	22 kOhms	Leistung - max	150mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	SOT-563, SOT-666
Andere Namen	EMH10T2R-ND EMH10T2RTR	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	250MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	56 @ 5mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA	Basisteilenummer	*MH10

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