ES6U1T2R

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ES6U1T2R
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
Datenblätte:	ES6U1T2R.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	186556 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 186556 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.183

10 pcs: $0.153

100 pcs: $0.115

500 pcs: $0.084

1000 pcs: $0.065

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Spezifikationen von ES6U1T2R

Artikelnummer	ES6U1T2R	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	186556 pcs	Datenblatt	ES6U1T2R.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	6-WEMT
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Verlustleistung (max)	700mW (Ta)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	SOT-563, SOT-666	Andere Namen	ES6U1T2RCT
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 6V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 12V 1.3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.3A (Ta)

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