HS8K11TB

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	HS8K11TB
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Datenblätte:	1.HS8K11TB.pdf 2.HS8K11TB.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	172423 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 172423 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.197

10 pcs: $0.165

100 pcs: $0.124

500 pcs: $0.091

1000 pcs: $0.07

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Spezifikationen von HS8K11TB

Artikelnummer	HS8K11TB	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	172423 pcs	Datenblatt	1.HS8K11TB.pdf 2.HS8K11TB.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Supplier Device-Gehäuse	HSML3030L10
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.9 mOhm @ 7A, 10V
Leistung - max	2W	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-UDFN Exposed Pad	Andere Namen	HS8K11TBCT
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.1nC @ 10V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7A, 11A 2W Surface Mount HSML3030L10
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7A, 11A

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Nach dem Verkauf
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