IMD6AT108

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IMD6AT108
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Datenblätte:	1.IMD6AT108.pdf 2.IMD6AT108.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	824723 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 824723 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

3000 pcs: $0.037

6000 pcs: $0.034

15000 pcs: $0.031

30000 pcs: $0.029

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Spezifikationen von IMD6AT108

Artikelnummer	IMD6AT108	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	824723 pcs	Datenblatt	1.IMD6AT108.pdf 2.IMD6AT108.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	SMT6
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	-
Widerstand - Basis (R1)	4.7 kOhms	Leistung - max	300mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	SC-74, SOT-457
Andere Namen	IMD6AT108TR	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	250MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	100 @ 1mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA	Basisteilenummer	*MD6

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