QH8MA3TCR

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	QH8MA3TCR
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
Datenblätte:	1.QH8MA3TCR.pdf 2.QH8MA3TCR.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	323601 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 323601 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

3000 pcs: $0.101

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Spezifikationen von QH8MA3TCR

Artikelnummer	QH8MA3TCR	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	323601 pcs	Datenblatt	1.QH8MA3TCR.pdf 2.QH8MA3TCR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Supplier Device-Gehäuse	TSMT8
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 7A, 10V
Leistung - max	1.5W	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SMD, Flat Lead	Andere Namen	QH8MA3TCRTR
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.2nC @ 10V
Typ FET	N and P-Channel	FET-Merkmal	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7A, 5.5A

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