QS5U17TR

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	QS5U17TR
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Datenblätte:	1.QS5U17TR.pdf 2.QS5U17TR.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	337067 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 337067 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

3000 pcs: $0.089

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Spezifikationen von QS5U17TR

Artikelnummer	QS5U17TR	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	337067 pcs	Datenblatt	1.QS5U17TR.pdf 2.QS5U17TR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TSMT5
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 4.5V
Verlustleistung (max)	900mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	175pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.9nC @ 4.5V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	Schottky Diode (Isolated)	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount TSMT5
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2A (Ta)

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