QS8M12TCR

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	QS8M12TCR
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Datenblätte:	QS8M12TCR.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	247670 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 247670 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

3000 pcs: $0.126

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Spezifikationen von QS8M12TCR

Artikelnummer	QS8M12TCR	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	247670 pcs	Datenblatt	QS8M12TCR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Supplier Device-Gehäuse	TSMT8
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	42 mOhm @ 4A, 10V
Leistung - max	1.5W	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SMD, Flat Lead	Andere Namen	QS8M12TCRTR
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.4nC @ 5V
Typ FET	N and P-Channel	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A 1.5W Surface Mount TSMT8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4A	Basisteilenummer	*M12

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