R5205CNDTL

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	R5205CNDTL
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT
Datenblätte:	R5205CNDTL.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	110925 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 110925 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

2500 pcs: $0.324

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Spezifikationen von R5205CNDTL

Artikelnummer	R5205CNDTL	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	110925 pcs	Datenblatt	R5205CNDTL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	CPT3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (max)	40W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	320pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.8nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	525V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 525V 5A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount CPT3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	5A (Ta)

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