R6009KNX

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	R6009KNX
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Datenblätte:	R6009KNX.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	59890 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 59890 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.636

10 pcs: $0.563

100 pcs: $0.445

500 pcs: $0.345

1000 pcs: $0.273

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Spezifikationen von R6009KNX

Artikelnummer	R6009KNX	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	59890 pcs	Datenblatt	R6009KNX.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220FM
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	535 mOhm @ 2.8A, 10V
Verlustleistung (max)	48W (Tc)	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	540pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16.5nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	Schottky Diode (Isolated)	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 9A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220FM
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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★ Lieferzeit dauert 2-4 Tage in die meisten Länder der Welt durch DHL / UPS / FEDEX / TNT.

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