R6011ENJTL

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	R6011ENJTL
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 11A LPT
Datenblätte:	1.R6011ENJTL.pdf 2.R6011ENJTL.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	45937 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 45937 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von R6011ENJTL

Artikelnummer	R6011ENJTL	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 11A LPT	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	45937 pcs	Datenblatt	1.R6011ENJTL.pdf 2.R6011ENJTL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	LPTS (D2PAK)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	390 mOhm @ 3.8A, 10V
Verlustleistung (max)	40W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	R6011ENJTLTR
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	670pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 11A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	11A (Tc)

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