R6012FNX

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	R6012FNX
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
Datenblätte:	R6012FNX.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	19348 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 19348 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.921

10 pcs: $1.717

100 pcs: $1.408

500 pcs: $1.14

1000 pcs: $0.961

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Spezifikationen von R6012FNX

Artikelnummer	R6012FNX	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	19348 pcs	Datenblatt	R6012FNX.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220FM
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	510 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)	50W (Tc)	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 12A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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