RAL025P01TCR

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RAL025P01TCR
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
Datenblätte:	1.RAL025P01TCR.pdf 2.RAL025P01TCR.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	145468 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 145468 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.221

10 pcs: $0.156

100 pcs: $0.103

500 pcs: $0.061

1000 pcs: $0.047

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Spezifikationen von RAL025P01TCR

Artikelnummer	RAL025P01TCR	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	145468 pcs	Datenblatt	1.RAL025P01TCR.pdf 2.RAL025P01TCR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	-8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TUMT6
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	62 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)	320mW (Ta)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	6-SMD, Flat Leads	Andere Namen	RAL025P01TCRCT
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 6V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 4.5V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 12V 2.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT6	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.5A (Ta)

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