RCD075N19TL

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RCD075N19TL
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
Datenblätte:	RCD075N19TL.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	84807 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 84807 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.425

10 pcs: $0.377

100 pcs: $0.298

500 pcs: $0.231

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Spezifikationen von RCD075N19TL

Artikelnummer	RCD075N19TL	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	84807 pcs	Datenblatt	RCD075N19TL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	CPT3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	336 mOhm @ 3.8A, 10V
Verlustleistung (max)	850mW (Ta), 20W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	RCD075N19TLCT
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	190V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 190V 7.5A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7.5A (Tc)

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