RDN080N25FU6

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RDN080N25FU6
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
Datenblätte:	RDN080N25FU6.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6581 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6581 pcs

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Spezifikationen von RDN080N25FU6

Artikelnummer	RDN080N25FU6	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6581 pcs	Datenblatt	RDN080N25FU6.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220FN
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max)	35W (Tc)	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	543pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 250V 8A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220FN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8A (Ta)

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