RF4E070GNTR

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RF4E070GNTR
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
Datenblätte:	1.RF4E070GNTR.pdf 2.RF4E070GNTR.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	540939 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 540939 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von RF4E070GNTR

Artikelnummer	RF4E070GNTR	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	540939 pcs	Datenblatt	1.RF4E070GNTR.pdf 2.RF4E070GNTR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	HUML2020L8
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	21.4 mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max)	2W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerUDFN	Andere Namen	RF4E070GNTRTR
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	220pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.8nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7A (Ta)

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