RGW60TS65GC11

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RGW60TS65GC11
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
Datenblätte:	RGW60TS65GC11.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	20984 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 20984 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.559

10 pcs: $1.392

25 pcs: $1.253

100 pcs: $1.142

250 pcs: $1.03

500 pcs: $0.924

1000 pcs: $0.78

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Spezifikationen von RGW60TS65GC11

Artikelnummer	RGW60TS65GC11	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	20984 pcs	Datenblatt	RGW60TS65GC11.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	650V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	1.9V @ 15V, 30A
Testbedingung	400V, 30A, 10 Ohm, 15V	Td (ein / aus) bei 25 ° C	37ns/114ns
Schaltenergie	480µJ (on), 490µJ (off)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247N
Serie	-	Leistung - max	178W
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabetyp	Standard
IGBT-Typ	Trench Field Stop	Gate-Ladung	84nC
detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Field Stop 650V 60A 178W Through Hole TO-247N	Strom - Collector Pulsed (Icm)	120A
Strom - Kollektor (Ic) (max)	60A

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