RHU003N03FRAT106

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RHU003N03FRAT106
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS
Datenblätte:	1.RHU003N03FRAT106.pdf 2.RHU003N03FRAT106.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1436906 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1436906 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

3000 pcs: $0.024

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Spezifikationen von RHU003N03FRAT106

Artikelnummer	RHU003N03FRAT106	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1436906 pcs	Datenblatt	1.RHU003N03FRAT106.pdf 2.RHU003N03FRAT106.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	UMT3
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 300mA, 10V
Verlustleistung (max)	200mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SC-70, SOT-323	Andere Namen	RHU003N03FRAT106TR
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	20pF @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 300mA (Ta) 200mW Surface Mount UMT3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	300mA (Ta)

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Nach dem Verkauf
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