RJ1U330AAFRGTL

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RJ1U330AAFRGTL
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	NCH 250V/33A POWER MOSFET
Datenblätte:	1.RJ1U330AAFRGTL.pdf 2.RJ1U330AAFRGTL.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	52937 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 52937 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Artikelnummer	RJ1U330AAFRGTL	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	NCH 250V/33A POWER MOSFET	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	52937 pcs	Datenblatt	1.RJ1U330AAFRGTL.pdf 2.RJ1U330AAFRGTL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	LPTS
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 16.5A, 10V
Verlustleistung (max)	211W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SC-83	Andere Namen	RJ1U330AAFRGTLTR
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4500pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	250V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 250V 33A (Ta) 211W (Tc) Surface Mount LPTS	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	33A (Ta)

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