RJP020N06T100

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RJP020N06T100
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
Datenblätte:	1.RJP020N06T100.pdf 2.RJP020N06T100.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	215962 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 215962 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von RJP020N06T100

Artikelnummer	RJP020N06T100	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	215962 pcs	Datenblatt	1.RJP020N06T100.pdf 2.RJP020N06T100.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	MPT3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	240 mOhm @ 2A, 4.5V
Verlustleistung (max)	500mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-243AA	Andere Namen	RJP020N06T100TR
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	160pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount MPT3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2A (Ta)

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