RJU002N06T106

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RJU002N06T106
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
Datenblätte:	RJU002N06T106.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	167274 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 167274 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.19

10 pcs: $0.133

100 pcs: $0.087

500 pcs: $0.052

1000 pcs: $0.04

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Spezifikationen von RJU002N06T106

Artikelnummer	RJU002N06T106	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	167274 pcs	Datenblatt	RJU002N06T106.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	UMT3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
Verlustleistung (max)	200mW (Ta)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	SC-70, SOT-323	Andere Namen	RJU002N06T106DKR
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	18pF @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	200mA (Ta)

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Nach dem Verkauf
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