RND030N20TL

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RND030N20TL
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
Datenblätte:	RND030N20TL.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	305443 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 305443 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von RND030N20TL

Artikelnummer	RND030N20TL	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 3A CPT3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	305443 pcs	Datenblatt	RND030N20TL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5.2V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	CPT3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	870 mOhm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (max)	850mW (Ta), 20W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	RND030N20TLTR
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	270pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.7nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 200V 3A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3A (Tc)

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