RQ1C065UNTR

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RQ1C065UNTR
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Datenblätte:	1.RQ1C065UNTR.pdf 2.RQ1C065UNTR.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	359453 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 359453 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von RQ1C065UNTR

Artikelnummer	RQ1C065UNTR	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	359453 pcs	Datenblatt	1.RQ1C065UNTR.pdf 2.RQ1C065UNTR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TSMT8
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)	700mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SMD, Flat Lead	Andere Namen	RQ1C065UNTRTR RQ1C065UNTRTR-ND
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	870pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 20V 6.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT8	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.5A (Ta)

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TNT	www.TNT.com	Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab.

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