RQ3E100GNTB

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RQ3E100GNTB
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT
Datenblätte:	1.RQ3E100GNTB.pdf 2.RQ3E100GNTB.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	582270 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 582270 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von RQ3E100GNTB

Artikelnummer	RQ3E100GNTB	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	582270 pcs	Datenblatt	1.RQ3E100GNTB.pdf 2.RQ3E100GNTB.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-HSMT (3.2x3)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.7 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)	2W (Ta), 15W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerVDFN	Andere Namen	RQ3E100GNTBTR
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	420pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.9nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 10A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10A (Ta)

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