RQ6E055BNTCR

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RQ6E055BNTCR
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT
Datenblätte:	1.RQ6E055BNTCR.pdf 2.RQ6E055BNTCR.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	356018 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 356018 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von RQ6E055BNTCR

Artikelnummer	RQ6E055BNTCR	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	356018 pcs	Datenblatt	1.RQ6E055BNTCR.pdf 2.RQ6E055BNTCR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TSMT6 (SC-95)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)	1.25W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Andere Namen	RQ6E055BNTCRTR
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	355pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.6nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 5.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	5.5A (Ta)

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