RRL025P03TR

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RRL025P03TR
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Datenblätte:	1.RRL025P03TR.pdf 2.RRL025P03TR.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	349646 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 349646 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Artikelnummer	RRL025P03TR	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	349646 pcs	Datenblatt	1.RRL025P03TR.pdf 2.RRL025P03TR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TUMT6
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (max)	320mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	6-SMD, Flat Leads	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.2nC @ 5V	Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	P-Channel 30V 2.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.5A (Ta)

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