RS1E200BNTB

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RS1E200BNTB
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Datenblätte:	1.RS1E200BNTB.pdf 2.RS1E200BNTB.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	440628 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 440628 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von RS1E200BNTB

Artikelnummer	RS1E200BNTB	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	440628 pcs	Datenblatt	1.RS1E200BNTB.pdf 2.RS1E200BNTB.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-HSOP
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)	3W (Ta), 25W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	Andere Namen	RS1E200BNTBTR
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3100pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	59nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 20A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	20A (Ta)

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