RS1E320GNTB

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RS1E320GNTB
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP
Datenblätte:	RS1E320GNTB.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	72702 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 72702 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.513

10 pcs: $0.455

100 pcs: $0.36

500 pcs: $0.279

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Spezifikationen von RS1E320GNTB

Artikelnummer	RS1E320GNTB	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	72702 pcs	Datenblatt	RS1E320GNTB.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-HSOP
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 mOhm @ 32A, 10V
Verlustleistung (max)	3W (Ta), 34.6W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	Andere Namen	RS1E320GNTBCT
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2850pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42.8nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 32A (Ta) 3W (Ta), 34.6W (Tc) Surface Mount 8-HSOP	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	32A (Ta)

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