RS3E095BNGZETB

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RS3E095BNGZETB
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Datenblätte:	RS3E095BNGZETB.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	115259 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 115259 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.309

10 pcs: $0.269

100 pcs: $0.208

500 pcs: $0.154

1000 pcs: $0.123

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Spezifikationen von RS3E095BNGZETB

Artikelnummer	RS3E095BNGZETB	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	115259 pcs	Datenblatt	RS3E095BNGZETB.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SOP
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.6 mOhm @ 9.5A, 10V
Verlustleistung (max)	2W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	RS3E095BNGZETBCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	680pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.3nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 9.5A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9.5A (Ta)

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