RSL020P03TR

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RSL020P03TR
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 30V 2A TUMT6
Datenblätte:	RSL020P03TR.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	419140 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 419140 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von RSL020P03TR

Artikelnummer	RSL020P03TR	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 2A TUMT6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	419140 pcs	Datenblatt	RSL020P03TR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	-	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TUMT6
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)	1W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	6-SMD, Flat Leads	Andere Namen	RSL020P03TRTR
Betriebstemperatur	-	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.9nC @ 5V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 30V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2A (Ta)

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