RSS040P03FU6TB

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RSS040P03FU6TB
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 30V 4A 8SOIC
Datenblätte:	RSS040P03FU6TB.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	171584 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 171584 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

2500 pcs: $0.183

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Spezifikationen von RSS040P03FU6TB

Artikelnummer	RSS040P03FU6TB	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 4A 8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	171584 pcs	Datenblatt	RSS040P03FU6TB.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SOP
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	58 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max)	2W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 5V	Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	P-Channel 30V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4A (Ta)

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Nach dem Verkauf
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