RUC002N05T116

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RUC002N05T116
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3
Datenblätte:	1.RUC002N05T116.pdf 2.RUC002N05T116.pdf 3.RUC002N05T116.pdf 4.RUC002N05T116.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	308055 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 308055 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.116

10 pcs: $0.104

100 pcs: $0.058

500 pcs: $0.031

1000 pcs: $0.021

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Spezifikationen von RUC002N05T116

Artikelnummer	RUC002N05T116	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	308055 pcs	Datenblatt	1.RUC002N05T116.pdf 2.RUC002N05T116.pdf 3.RUC002N05T116.pdf 4.RUC002N05T116.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SST3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Verlustleistung (max)	200mW (Ta)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Andere Namen	RUC002N05T116DKR
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	25pF @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	50V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 50V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SST3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	200mA (Ta)

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Nach dem Verkauf
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