RZF013P01TL

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RZF013P01TL
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Datenblätte:	1.RZF013P01TL.pdf 2.RZF013P01TL.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	205404 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 205404 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.176

10 pcs: $0.123

100 pcs: $0.081

500 pcs: $0.048

1000 pcs: $0.037

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Spezifikationen von RZF013P01TL

Artikelnummer	RZF013P01TL	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	205404 pcs	Datenblatt	1.RZF013P01TL.pdf 2.RZF013P01TL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TUMT3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Verlustleistung (max)	800mW (Ta)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	3-SMD, Flat Leads	Andere Namen	RZF013P01TLDKR
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 6V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 12V 1.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.3A (Ta)

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