SP8K4FU6TB

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	SP8K4FU6TB
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC
Datenblätte:	SP8K4FU6TB.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	112561 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 112561 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

2500 pcs: $0.327

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Spezifikationen von SP8K4FU6TB

Artikelnummer	SP8K4FU6TB	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	112561 pcs	Datenblatt	SP8K4FU6TB.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Supplier Device-Gehäuse	8-SOP
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 9A, 10V
Leistung - max	2W	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1190pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 5V	Typ FET	2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal	Logic Level Gate	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9A 2W Surface Mount 8-SOP	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9A
Basisteilenummer	*K4

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