ZDS020N60TB

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZDS020N60TB
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 8SOIC
Datenblätte:	ZDS020N60TB.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	175786 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 175786 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

2500 pcs: $0.181

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Spezifikationen von ZDS020N60TB

Artikelnummer	ZDS020N60TB	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	175786 pcs	Datenblatt	ZDS020N60TB.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SOP
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)	2W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	310pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 630mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	630mA (Tc)

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