CSD13201W10

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Produktübersicht

Artikelnummer:	CSD13201W10
Hersteller / Marke:	N/A
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	518075 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 518075 pcs

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Spezifikationen von CSD13201W10

Artikelnummer	CSD13201W10	Hersteller	N/A
Beschreibung	MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	518075 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	4-DSBGA (1x1)
Serie	NexFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	34 mOhm @ 1A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.2W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	4-UFBGA, DSBGA	Andere Namen	296-41412-2 CSD13201W10-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	462pF @ 6V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.9nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 12V 1.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.6A (Ta)

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