CSD16556Q5B

N/A

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Produktübersicht

Artikelnummer:	CSD16556Q5B
Hersteller / Marke:	N/A
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Datenblätte:
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	79155 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 79155 pcs

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Spezifikationen von CSD16556Q5B

Artikelnummer	CSD16556Q5B	Hersteller	N/A
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	79155 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	1.7V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-VSONP (5x6)
Serie	NexFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.07 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)	3.2W (Ta), 191W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	Andere Namen	296-35627-2 CSD16556Q5B-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6180pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 25V 100A (Tc) 3.2W (Ta), 191W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	100A (Tc)

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