CSD18533Q5AT

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Produktübersicht

Artikelnummer:	CSD18533Q5AT
Hersteller / Marke:	N/A
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
Datenblätte:
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	47569 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von CSD18533Q5AT

Artikelnummer	CSD18533Q5AT	Hersteller	N/A
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 100A 8SON	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	47569 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-VSONP (5x6)
Serie	NexFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.9 mOhm @ 18A, 10V
Verlustleistung (max)	3.2W (Ta), 116W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	Andere Namen	296-41959-1
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2750pF @ 30V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 17A (Ta), 100A (Tc) 3.2W (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	17A (Ta), 100A (Tc)

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