CSD18536KTT

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Produktübersicht

Artikelnummer:	CSD18536KTT
Hersteller / Marke:	N/A
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Datenblätte:
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	15122 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 15122 pcs

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Spezifikationen von CSD18536KTT

Artikelnummer	CSD18536KTT	Hersteller	N/A
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	15122 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	DDPAK/TO-263-3
Serie	NexFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)	375W (Tc)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Andere Namen	296-44967-6
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	2 (1 Year)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	11430pF @ 30V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	200A (Ta)

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★ Lieferzeit dauert 2-4 Tage in die meisten Länder der Welt durch DHL / UPS / FEDEX / TNT.

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