CSD19532KTT

N/A

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Produktübersicht

Artikelnummer:	CSD19532KTT
Hersteller / Marke:	N/A
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	61542 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 61542 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von CSD19532KTT

Artikelnummer	CSD19532KTT	Hersteller	N/A
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	61542 pcs	Datenblatt
Spannung - Prüfung	5060pF @ 50V	Spannung - Durchschlag	DDPAK/TO-263-3
VGS (th) (Max) @ Id	5.6 mOhm @ 90A, 10V	Vgs (Max)	6V, 10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	NexFET™
RoHS Status	Tape & Reel (TR)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	200A (Ta)
Polarisation	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	296-44970-2 CSD19532KTT-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	2 (1 Year)	Hersteller-Teilenummer	CSD19532KTT
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	57nC @ 10V	IGBT-Typ	±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.2V @ 250µA	FET-Merkmal	N-Channel
Expanded Beschreibung	N-Channel 100V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3	Drain-Source-Spannung (Vdss)	-
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	100V
Kapazitätsverhältnis	250W (Tc)

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