CSD19538Q2T

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Produktübersicht

Artikelnummer:	CSD19538Q2T
Hersteller / Marke:	N/A
Produktbeschreibung	MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	100694 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von CSD19538Q2T

Artikelnummer	CSD19538Q2T	Hersteller	N/A
Beschreibung	MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	100694 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	3.8V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	6-WSON (2x2)
Serie	NexFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	59 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)	2.5W (Ta), 20.2W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	6-WDFN Exposed Pad	Andere Namen	296-44612-1
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	454pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.6nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 13.1A (Tc) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) Surface Mount 6-WSON (2x2)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	13.1A (Tc)

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