CSD23202W10T

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Produktübersicht

Artikelnummer:	CSD23202W10T
Hersteller / Marke:	N/A
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	136048 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Artikelnummer	CSD23202W10T	Hersteller	N/A
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	136048 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA	Vgs (Max)	-6V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	4-DSBGA (1x1)
Serie	NexFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	53 mOhm @ 500mA, 4.5V
Verlustleistung (max)	1W (Ta)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	4-UFBGA, DSBGA	Andere Namen	296-38338-1
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	512pF @ 6V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.8nC @ 4.5V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 12V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.2A (Ta)

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