CSD25303W1015

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Produktübersicht

Artikelnummer:	CSD25303W1015
Hersteller / Marke:	N/A
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4883 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4883 pcs

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Spezifikationen von CSD25303W1015

Artikelnummer	CSD25303W1015	Hersteller	N/A
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4883 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	6-DSBGA (1x1.5)
Serie	NexFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	58 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.5W (Ta)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	6-UFBGA, DSBGA	Andere Namen	296-28317-6
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	435pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.3nC @ 4.5V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 20V 3A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3A (Tc)

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