CSD86336Q3D

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Produktübersicht

Artikelnummer:	CSD86336Q3D
Hersteller / Marke:	N/A
Produktbeschreibung	25V POWERBLOCK N CH MOSFET
Datenblätte:
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	131469 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von CSD86336Q3D

Artikelnummer	CSD86336Q3D	Hersteller	N/A
Beschreibung	25V POWERBLOCK N CH MOSFET	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	131469 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-VSON (3.3x3.3)
Serie	NexFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Leistung - max	6W	Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN
Betriebstemperatur	-55°C ~ 125°C	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
Typ FET	2 N-Channel (Half Bridge)	FET-Merkmal	Logic Level Gate, 5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 20A (Ta) 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	20A (Ta)

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