APT6010B2LLG

Microsemi Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT6010B2LLG
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
Datenblätte:	APT6010B2LLG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3091 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3091 pcs

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Spezifikationen von APT6010B2LLG

Artikelnummer	APT6010B2LLG	Hersteller	Microsemi Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3091 pcs	Datenblatt	APT6010B2LLG.pdf
Spannung - Prüfung	6710pF @ 25V	Spannung - Durchschlag	T-MAX™ [B2]
VGS (th) (Max) @ Id	100 mOhm @ 27A, 10V	Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	POWER MOS 7®	RoHS Status	Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs	54A (Tc)	Polarisation	TO-247-3 Variant
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	APT6010B2LLG
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	150nC @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5V @ 2.5mA
FET-Merkmal	N-Channel	Expanded Beschreibung	N-Channel 600V 54A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Drain-Source-Spannung (Vdss)	-	Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	600V	Kapazitätsverhältnis	690W (Tc)

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