APT6030BN

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT6030BN
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
Datenblätte:	APT6030BN.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6609 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6609 pcs

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Spezifikationen von APT6030BN

Artikelnummer	APT6030BN	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6609 pcs	Datenblatt	APT6030BN.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247AD
Serie	POWER MOS IV®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 11.5A, 10V
Verlustleistung (max)	360W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	210nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 23A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	23A (Tc)

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