EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR

Micron Technology

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Produktübersicht

Artikelnummer:	EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR
Hersteller / Marke:	Micron Technology
Produktbeschreibung	IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Datenblätte:	EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	13264 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 13264 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1000 pcs: $2.589

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Spezifikationen von EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR

Artikelnummer	EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR	Hersteller	Micron Technology
Beschreibung	IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	13264 pcs	Datenblatt	EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite	-	Spannungsversorgung	1.14 V ~ 1.95 V
Technologie	SDRAM - Mobile LPDDR2	Supplier Device-Gehäuse	134-VFBGA (10x11.5)
Serie	-	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	134-VFBGA	Andere Namen	EDB1332BDBH-1DAAT-F-R EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR-ND EDB1332BDBH-1DAAT-F-R-ND EDB1332BDBH-1DAAT-F-RTR
Betriebstemperatur	-40°C ~ 105°C (TC)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	3 (168 Hours)	Speichertyp	Volatile
Speichergröße	1Gb (32M x 32)	Speicherschnittstelle	Parallel
Speicherformat	DRAM	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung	SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (32M x 32) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)	Uhrfrequenz	533MHz

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